Dr. Andrzej Fleszar

 Forschungsinteressen:

• Ab initio Rechnungen für Festkörper.

• GW Methode zur Anregungszustände.

• Anwendung von neuen Ansätzen für das

• Austausch-Korrelationsfunktional der Dichte Funktional Theorie. z. B. , Exakte-Austausch Methode.

• Ab initio Berechnungen von PES-, X-ray-, EELS-, RIXS-, XES-, NEXAFS-,etc. Spektren mit enger Zusammenarbeit mit den experimentellen Gruppen.

• Adsorbate an Halbleitern Oberflächen, z.B., alpha-Phasen von Sn auf   Si(111) und Ge(111) Oberflächen.

• DMS (diluted magnetic semiconductors), z.B., Mn in II-VI Halbleitern.

• TM-Oxide und Materialien mit 4f Elementen (z.B., PrO2, Pr2O3, etc.).

wissenschaftlicher Werdegang:

Seit 1990 Wissenschaftliche Mitarbeiter an der Uni Würzburg am Lehrstuhl von Prof. Werner Hanke.

1994 Postdoc in Oak Ridge National Lab, Tennessee.

1987-1989 Max-Planck Fellowship im Fritz-Haber-Institut; Gruppe von Prof. Matthias Scheffler.

1985 Promotion in SISSA, Trieste.

1981-1986 Scuola Internazinale Superiore di Studi Avanzati, (SISSA) Trieste.

1977-1978 Universita degli Studi di Trieste.

1976 Magister Fizyki, Uniwersytet Warszawski.